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J-GLOBAL ID：201002257705926470   整理番号：10A0225120

Zn₂GeO₄ナノ結晶上へのZnOナノロッドアレイの結晶学的配列:前途有望な格子調和した基板

Crystallographic Alignment of ZnO Nanorod Arrays on Zn₂GeO₄ Nanocrystals: Promising Lattice-Matched Substrates

著者 (2件)： YAN Chaoyi (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  LEE Pooi See (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 114  号： 1  ページ： 265-268  発行年： 2010年01月14日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 格子調和したZn₂GeO₄ナノ結晶上に整列したZnOナノロッドアレイの成功した成長を検証した。単結晶Zn₂GeO₄ナノワイヤは,ZnOナノロッドとの結晶学的相関を検討するための理想的な基板として役立っていた。詳細なHRTEM観察から,ZnO分枝の垂直配向が,ZnOのc面とZn₂GeO₄結晶の側破面間でのヘテロエピタキシャル成長によって動かされた,ことが明らかになった。ミスフィット転位等の構造欠陥が,その歪を解放するために幾つかの界面で観察された。特定面でのZnOとの小さな格子不整合に因って,半導体のZn₂GeO₄結晶が素子応用と共にZnOナノロッド配列成長用の前途有望な基板として役立つに違いなかった。

シソーラス用語： *亜鉛化合物 ,  *ゲルマニウム酸塩 ,  *ナノ結晶 ,  *基板 ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノロッド ,  *アレイ ,  結晶方位 ,  規則度 ,  結晶成長 ,  単結晶 ,  ナノワイヤ ,  側鎖 ,  分子配向 ,  ヘテロエピタクシー ,  不整合転位 ,  格子欠陥 ,  構造 ,  緩和現象
準シソーラス用語： ひずみ解放 ,  ミスフィット転位 ,  格子秩序 ,  結晶学的配向 ,  構造欠陥 ,  垂直配向 ,  分岐鎖

分類 (4件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノ結晶 ,  ZnOナノロッド ,  アレイ ,  結晶学 ,  格子 ,  調和