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J-GLOBAL ID：201002257821308775   整理番号：10A1381525

ナノ規模での半導体欠陥工学の動向

Trends in semiconductor defect engineering at the nanoscale

著者 (2件)： SEEBAUER Edmund G. (Dep. of Chemical and Biomolecular Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 600 S. Mathews Ave., Urbana ...) ,  NOH Kyong Wook (Dep. of Chemical and Biomolecular Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 600 S. Mathews Ave., Urbana ...)
資料名： Materials Science & Engineering. R. Reports  (Materials Science & Engineering. R. Reports)
巻： 70  号： 3-6  ページ： 151-168  発行年： 2010年11月22日 
JST資料番号： T0341A  ISSN： 0927-796X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥工学は,結晶質固体内の欠陥の型,濃度,空間分布,あるいは移動度を操作することを必要とする。半導体における欠陥工学は,微小な長さ尺度で材料の性質を制御する必要に駆動されて,最近数年間にはるかにより精巧になった。本論文は,Siベース集積回路から始めて,非Siマイクロエレクトロニクスまで,特にセンサーおよび光触媒用の酸化物半導体にまで拡張して,数種のナノ指向の応用にわたって欠陥工学の最近の動向を記述する。現在までほとんど利用されていなかったが,低エネルギーイオン照射,表面化学,そして光誘導を含む,欠陥挙動を制御するための新しい手段としてかなりの有望さを示す物理的機構に特別焦点を絞った。パラメータ評価のためのシステムに基づく方法は,複雑な拡散そして最も見込みのある応用において欠陥挙動を特性評価する反応ネットワークを理解するのを助けるためにかなり有望である。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体 ,  工学 ,  *格子欠陥 ,  *長さ ,  ケイ素 ,  *集積回路 ,  マイクロエレクトロニクス ,  *センサ ,  *光触媒 ,  化合物半導体 ,  イオン照射 ,  界面化学 ,  光照射
準シソーラス用語： *ナノサイズ ,  欠陥工学 ,  酸化物半導体 ,  表面化学

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 規模 ,  欠陥 ,  工学 ,  動向