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J-GLOBAL ID：201002257888247304   整理番号：10A0434772

テトラキス(エチルメチルアミド)ハフニウムおよび水からのHfO₂薄膜の原子層堆積中の反射吸収赤外分光法

Reflection absorption infrared spectroscopy during atomic layer deposition of HfO₂ films from tetrakis(ethylmethylamido)hafnium and water

著者 (3件)： SPERLING Brent A. (Process Measurements Div., National Inst. of Standards and Technol., 100 Bureau Drive, Gaithersburg, MD 20899-8360, USA) ,  KIMES William A. (Process Measurements Div., National Inst. of Standards and Technol., 100 Bureau Drive, Gaithersburg, MD 20899-8360, USA) ,  MASLAR James E. (Process Measurements Div., National Inst. of Standards and Technol., 100 Bureau Drive, Gaithersburg, MD 20899-8360, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 256  号： 16  ページ： 5035-5041  発行年： 2010年06月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テトラキス(エチルメチルアミド)ハフニウムおよび水は,HfO₂の原子層堆積用に一般的に使用される前駆体である。埋め込み金属層基板とともに赤外反射吸収分光法を用いて,典型的堆積条件中に存在する表面化学種を探測した。320°Cでアルキルアミド配位子の熱分解に対する証拠を観察した。さらに,著者らは,ほぼ100°Cでの第一サイクルにおいて,SiO₂基板の完全な飽和が起こるが,より高い温度での多サイクル後でも不完全な被覆率が出現することを見出した。この技法をプロセス最適化にとって有用なその場診断として使えることを証明した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 有機金属化合物 ,  ハフニウム化合物 ,  *誘電体薄膜 ,  *酸化ハフニウム ,  化学蒸着 ,  前駆体 ,  赤外反射吸収分光法 ,  配位子 ,  基板 ,  その場観察 ,  熱分解 ,  被覆率 ,  最適化
準シソーラス用語： 原子層堆積 ,  プロセス最適化

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： テトラ ,  ハフニウム ,  水 ,  HfO2 ,  薄膜 ,  原子層堆積 ,  赤外分光法