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J-GLOBAL ID:201002257984286914   整理番号:10A0037599

多重減衰経路がCuInS2の光ルミネセンス強度にどう影響するか

How multiple decay paths affect the photoluminescence intensity in CuInS2
著者 (3件):
資料名:
巻: 94  号:ページ: 275-281  発行年: 2010年02月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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スプレー蒸着CuInS2の光ルミネセンス(PL)強度への励起出力の影響が研究された。特定の閾値より上では,励起出力が増加するとPL強度は減少し,これらの材料にとって新しい現象である。CuInS2の過渡吸収挙動について説明するために,より早く開発された再結合モデルが,電力依存性PL測定を模擬するように変更された。モデルは状態ー状態の再結合経路を含んでいる。状態ー状態の再結合が可能な時,1.1eVの深い欠陥状態の飽和が,伝導バンドから0.15と0.2eVでの欠陥状態への再結合を抑制することが判明した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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太陽電池 
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