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J-GLOBAL ID：201002258255153242   整理番号：10A0978894

パルス化電子ビーム蒸着によって成長したエピタキシャルZnO薄膜

Epitaxial ZnO thin films grown by pulsed electron beam deposition

著者 (7件)： TRICOT S. ,  NISTOR M. ,  MILLON E. ,  BOULMER-LEBORGNE C. ,  MANDACHE N.b. ,  PERRIERE J. ,  SEILER W.
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 604  号： 21-22  ページ： 2024-2030  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,パルス化電子ビーム蒸着法(PED)を,cカットサファイア基板に成長したZnO薄膜の特性を研究することによって評価した。膜組成,構造,および表面形態を,Rutherford後方散乱分光分析,X線回折,原子間力顕微鏡によって研究した。分光吸収,抵抗率,Hall効果測定は,ZnO膜の光学と電子特性を得るために実行した。蒸着条件の微調整によって,滑らかで緻密な化学量論のテクスチャ六方ZnO膜を,サファイア基板に対してZnO底面を30°回転させて(0001)サファイアに700°Cでエピタキシャル成長した。膜の平均透過率は,3.28eVの光学バンドギャップにより可視域で90%に達する。電気的キャラクタリゼーションは,11.53cm²/Vsの移動度とともに3.4×10¹⁹cm^-3の高いキャリア密度を明らかにした。電気と光学特性について議論し,同様の最も周知のパルスレーザ蒸着法によって作製したZnO薄膜と比較した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： パルス化 ,  *電子ビーム蒸着 ,  エピタクシー ,  *酸化亜鉛 ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  化学組成 ,  表面構造 ,  Rutherford後方散乱 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  光吸収 ,  電気抵抗率 ,  Hall効果 ,  光学的性質 ,  化学量論 ,  テクスチャ処理 ,  六方晶系 ,  透過率 ,  光学ギャップ ,  キャラクタリゼーション ,  キャリア移動度 ,  キャリア密度 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  可視領域 ,  電子特性 ,  表面形態

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルス化 ,  電子ビーム蒸着 ,  成長 ,  エピタキシャル ,  ZnO薄膜