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J-GLOBAL ID：201002258315995752   整理番号：10A0713752

ワイドバンドギャップ半導体を利用する面発光レーザ:GaN系垂直共振器型面発光レーザとGaN/ZnO系ポラリトンレーザの最新動向

Wide Bandgap Semiconductor-Based Surface-Emitting Lasers: Recent Progress in GaN-Based Vertical Cavity Surface-Emitting Lasers and GaN-/ZnO-Based Polariton Lasers

著者 (2件)： SHIMADA Ryoko (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  MORKOC Hadis (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA)
資料名： Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)
巻： 98  号： 7  ページ： 1220-1233  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップ半導体を利用した面発光レーザ,垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)とポラリトンレーザの最近の進歩について報告する。まだ幼年期にあるが,GaN系の微小共振器(MC)に室温光励起ポラリトンレーザ動作が観察された。ポラリトンレーザ発光による自発発光の観察は,ポラリトンのBose-Einstein凝縮により生起すると考えられる。しかしながら,電気的励起によるポラリトンレーザについては,実現を目指していまだに研究が続けられている。励起子束縛エネルギーが60meVであることから,ZnO利用MCは室温ポラリトンレーザ実現の大きな可能性を秘めている。ZnOに約80meVのRabi分裂量が観察されているが,ポラリトンレーザ成功の報告はまだない。

シソーラス用語： バンドギャップ ,  化合物半導体 ,  窒化ガリウム ,  *垂直共振器形面発光レーザ ,  酸化亜鉛 ,  *ポラリトン ,  フォノン ,  *レーザ発振 ,  素子構造 ,  レーザ励起 ,  レーザビーム ,  微小共振器 ,  技術進歩 ,  *ワイドギャップ半導体
準シソーラス用語： ポラリトンレーザ ,  *ワイドバンドギャップ半導体

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  ポラリトン  (BM02140A)

タイトルに関連する用語 (7件)： ワイドバンドギャップ半導体 ,  面発光レーザ ,  GaN ,  垂直共振器型面発光レーザ ,  ZnO ,  ポラリトンレーザ ,  最新動向