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J-GLOBAL ID：201002258357519373   整理番号：10A1156768

GaNエピ層におけるフォノン支援発光を通じての励起子状態密度の探査 AならびにB励起子寄与

Probing exciton density of states through phonon-assisted emission in GaN epilayers: A and B exciton contributions

著者 (9件)： CAVIGLI Lucia (Universita di Firenze, Florence, ITA) ,  GABRIELI Riccardo (Universita di Firenze, Florence, ITA) ,  GURIOLI Massimo (Universita di Firenze, Florence, ITA) ,  BOGANI Franco (Universita di Firenze, Florence, ITA) ,  FELTIN Eric (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  CARLIN Jean-Francois (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  BUTTE Raphaeel (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  GRANDJEAN Nicolas (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  VINATTIERI Anna (Universita di Firenze, Florence, ITA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 82  号： 11  ページ： 115208.1-115208.7  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *励起子 ,  *状態密度 ,  *窒化ガリウム ,  エピタクシー ,  化合物半導体 ,  *光ルミネセンス ,  反射率 ,  フォノン

分類 (2件)： 励起子  (BM02120E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  エピ層 ,  フォノン ,  支援 ,  励起子 ,  状態密度 ,  探査