125GHz 140mW InGaAs/InP複合チャネルHEMT MMIC電力増幅器モジュール

KOSUGI Toshihiko; SUGIYAMA Hiroki; MURATA Koichi; TAKAHASHI Hiroyuki; HIRATA Akihiko; KUKUTSU Naoya; KADO Yuichi; ENOKI Takatomo

文献

J-GLOBAL ID：201002258366740821 整理番号：10A0060140

125GHz 140mW InGaAs/InP複合チャネルHEMT MMIC電力増幅器モジュール

A 125-GHz 140-mW InGaAs/InP composite-channel HEMT MMIC power amplifier module

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 6 号： 24 ページ： 1764-1768 (J-STAGE) 発行年： 2009年
JST資料番号： U0039A ISSN： 1349-2543 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

ミリ波電力増幅器モジュールにおいて,125GHzで140mWの最大出力電力および80mW出力1dB利得圧縮点を得た。0.08μmゲート長InGaAs/InP複合チャネルHEMTを単一チップ・コプレーナ設計増幅器MMICに適用した。この周波数帯におけるこの電力増幅器モジュールの出力電力は,著者らが知る限り最高記録である。(翻訳著者抄録)

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増幅回路

引用文献 (4件)：

[1] A. Hirata, T. Kosugi, H. Takahashi, R. Yamaguchi, F. Nakajima, T. Furuta, H. Ito, H. Sugahara, Y. Sato, and T. Nagatsuma, “120-GHz-band millimeter-wave photonic wireless link for 10-Gb/s data transmission, ”IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 54, no. 5, pp. 1937-1944, 2006.
[2] L. Samoska, “Towards Terahertz MMIC Amplifiers: Present Status and Trends, ”IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Digest 2006, pp. 333-336, 2006.
[3] H. Sugiyama, T. Kosugi, H. Yokoyama, K. Murata, Y. Yamane, M. Tokumitsu, and T. Enoki, “High-Performance InGaAs/InP Composite-Channel High Electron Mobility Transistors Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy, ”JJAP, vol. 47, no. 4, pp. 2828-2832, 2008.
[4] L. Samoska, “65-145GHz InP MMIC HEMT Medium Power Amplifiers: Present Status and Trends, ”IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Digest 2001, pp. 1805-1808, 2001.

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