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J-GLOBAL ID:201002258376429369   整理番号:10A1152074

h-MoO3/SnO2中空ナノ構造系の合成と低温で応答する高感度ガスセンサー

Fabrication and Highly Sensitive Gas Sensors Based on h-MoO3/SnO2 Hollow Nanostructures Operated at Low Temperatures
著者 (3件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 6155-6160  発行年: 2010年09月 
JST資料番号: W1351A  ISSN: 1533-4880  CODEN: JNNOAR  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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前駆体としてSnCl2・2H2O,テンプレートとしてh-MoO3を用いて,一次元SnO2中空ナノ構造を優先方向[001]h-MoO3の表面に,水熱法でHNO3とh-MoO3濃度を変化させて合成し,その構造と生成機構を研究した。その結果,境界明瞭で多角形の中空ナノ構造を合成できたが,HNO3とh-MoO3濃度で表面形態が変化した。さらに,h-MoO3の存在が,エタノールガスに対するセンサー感度を上げ,低温で応答することが分かった。
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分類 (2件):
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分析機器  ,  酸化物薄膜 
物質索引 (1件):
物質索引
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