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J-GLOBAL ID：201002258468435373   整理番号：10A0127378

交互方向明示(ADE)法を用いたシリコンレーザ処理における加熱,相変化およびドーパント拡散に対する高速シミュレーションコード

Fast simulation code for heating, phase changes and dopant diffusion in silicon laser processing using the alternating direction explicit (ADE) method

著者 (2件)： FELL A. (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, DEU) ,  WILLEKE G. P. (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, DEU)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 98  号： 2  ページ： 435-440  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンにおけるレーザ吸収,熱輸送,融解および蒸発の熱力学を記述するシミュレーションコードを開発した。このコードは適合グリッド改質を有する非等距離グリッド上の差分法を使用する。前の研究のエンタルピーに基づくモデルにKnudsen蒸発モデルを付け加えたのは,1ナノ秒までの高強度短パルスレーザを扱うのに必要だからである。シリコン融液中でのドーパント拡散をシミュレートするためにFickの拡散法則をさらに取り入れた。交互方向明示(ADE)法を実行し,これによりシミュレーションは,標準的な時間積分法のEuler明示法やCrank Nicolson法と比較して大きくスピードアップした。リンをドーピングした場合の深さ方向濃度分布はSIMSにより計測した実験値とよく一致した。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *レーザ加熱 ,  *相転移 ,  *不純物拡散 ,  計算機シミュレーション ,  レーザ融解 ,  蒸発 ,  差分法 ,  エンタルピー ,  *パルスレーザ照射 ,  Fickの法則 ,  深さプロフィル ,  二次イオン質量分析 ,  液体内拡散 ,  ドーパント ,  計算機アルゴリズム ,  熱伝達
準シソーラス用語： Crank-Nicolson法 ,  Knudsenセル

分類 (3件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  液体の輸送現象一般  (BL06011A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 法 ,  シリコン ,  レーザ ,  相変化 ,  ドーパント ,  拡散 ,  シミュレーションコード