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J-GLOBAL ID：201002258482083250   整理番号：10A0924532

抵抗スイッチング素子の不良解析

Failure Analysis of Resistive Switching Devices

著者 (1件)： CHEN An (GLOBALFOUNDRIES, CA, USA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.1  ページ： 84-88  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu₂O系金属-絶縁膜-金属(MIM)素子について測定したアレイ統計に基づき,抵抗スイッチング素子のサイクル試験不良について検討し,この抵抗スイッチング素子の不良機構を解析した。この解析は,アレイ特性評価により測定した統計に基づき,他の抵抗スイッチング材料に適用可能である。全不良型を調べるため,厳密な試験条件を設計した。厳密な試験条件下で,4タイプの不良を識別できた。リセットスイッチング不良が最重要の不良原因を示し,2型のデータ損失がこれに続いた。各不良型を最小にするため,動作モードを適性設計することにより,サイクル試験耐久性を改善することができた。サイクル試験耐久性の上限は,真性材料特性とアレイ構造により決まるため,材料加工方法とアレイ構造により最適化する必要がある。最終製品から高不良率の素子を除去するため,これらの素子で観測した2段階サイクル試験挙動をスクリーニンググ(選別)プロセスに利用することが可能である。このスイッチング機構の明確な理解が抵抗スイッチング素子の最適化に重要である。

シソーラス用語： *スイッチング素子 ,  *故障解析 ,  *スイッチング ,  *電気抵抗 ,  電流電圧特性 ,  *MIM構造 ,  酸化銅 ,  繰返し試験 ,  不揮発性メモリ ,  故障率 ,  アレイ回路
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (2件)： スイッチング素子 ,  不良解析