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J-GLOBAL ID：201002258573050568   整理番号：10A0239722

有機薄膜トランジスタのスケーリング限界

Scaling limits of organic thin film transistors

著者 (6件)： HOPPE A. (Nano and Molecular Electronics Lab., Jacobs Univ. Bremen, 28759 Bremen, DEU) ,  KNIPP D. (Electronic Devices and Nanophotonics Lab., Jacobs Univ. Bremen, 28759 Bremen, DEU) ,  GBUREK B. (Nano and Molecular Electronics Lab., Jacobs Univ. Bremen, 28759 Bremen, DEU) ,  BENOR A. (Electronic Devices and Nanophotonics Lab., Jacobs Univ. Bremen, 28759 Bremen, DEU) ,  MARINKOVIC M. (Electronic Devices and Nanophotonics Lab., Jacobs Univ. Bremen, 28759 Bremen, DEU) ,  WAGNER V. (Nano and Molecular Electronics Lab., Jacobs Univ. Bremen, 28759 Bremen, DEU)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 11  号： 4  ページ： 626-631  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機薄膜トランジスタのスイッチング速度に及ぼす素子幾何学に関するスケーリング挙動と影響を調べた。チオフェントランジスタを特性化し,接触効果と重合わせキャパシタンスの影響を調べた。スイッチング周波数の基本的スケーリング限界を誘導した。素子設計及びドレイン/ソース電極と有機半導体間の比接触抵抗が最大周波数を制限した。最終的に,100MHzに至るまでの周波数で作動する有機トランジスタをいかに実現するかの方法を示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 薄膜トランジスタ ,  *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  *硫黄複素環化合物 ,  等価回路 ,  *スイッチング ,  接触抵抗 ,  周波数依存性 ,  *スケーリング【計数】 ,  静電容量 ,  相互コンダクタンス ,  蒸着膜 ,  オリゴマ ,  ポリチオフェン ,  電流電圧特性 ,  光学顕微鏡法
準シソーラス用語： オリゴチオフェン ,  キャパシタンス ,  スイッチング速度 ,  チオフェン誘導体 ,  トランスコンダクタンス ,  素子設計 ,  有機薄膜トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  チオフェン  (CF07074D)

物質索引 (1件)： 5,5′′′′′′-ジヘキシル-2,2′:5′,2′′:5′′,2′′′:5′′′,2′′′′:5′′′′,2′′′′′:5′′′′′,2′′′′′′-セプチチオフェン

タイトルに関連する用語 (3件)： 有機薄膜トランジスタ ,  スケーリング ,  限界