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J-GLOBAL ID：201002258850386226   整理番号：10A1539303

InGaAs/AlAsSb超高速全光交差位相変調器の出力取扱い時のY₂O₃-Si₃N₄薄膜の結晶粒配向

Grain orientation of Y₂O₃-Si₃N₄ thin-film on the power-handling of InGaAs/AlAsSb ultrafast all-optical cross-phase modulators

著者 (1件)： LIM C. G. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 10  ページ： 103114  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶粒配向は,高熱伝導率を持つ配向イットリウム酸化窒化珪素(Y₂O₃-Si₃N₄)をもたらすことが知られている。しかし,積層方向に配向したY₂O₃-Si₃N₄の異方熱伝導率は,それぞれ280K及び630Kを超える温度で非配向Y₂O₃-Si₃N₄及びSi₃N₄のそれ以下に落ちる。従って,結晶粒配向がInGaAs/AlAsSb超高速全光位相変調器あるいは任意の他の半導体素子から配向Y₂O₃-Si₃N₄薄膜へより良い熱拡散を実際にもたらすか否かは不明である。これを証明するために,非配向及び配向Y₂O₃-Si₃N₄薄膜を熱拡散器に用いたInGaAs/AlAsSb超高速全光位相変調器中で熱拡散させた。Y₂O₃-Si₃N₄薄膜の結晶粒方位はボイド密度の低下を通して素子-膜界面における熱抵抗を低下させ,非配向Y₂O₃-Si₃N₄薄膜に比べて素子の熱拡散を僅かに良くすることを解析で示した。従って,配向したY₂O₃-Si₃N₄薄膜熱拡散器はInGaAs/AlAsSb超高速全光交差位相変調器のパワー操作を,非配向Y₂O₃-Si₃N₄薄膜熱拡散器の場合の元の値の約0.36~約1.75倍に比べて,元の値の約0.46~約1.8倍改善する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 光変調 ,  位相変調 ,  *変調器 ,  *方向 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  アルミニウム化合物 ,  アンチモン化合物 ,  酸化イットリウム ,  窒化ケイ素 ,  非線形光学 ,  半導体材料 ,  半導体 ,  熱伝導率 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： 位相変調器 ,  *結晶粒方位 ,  *全光交差位相変調器

分類 (1件)： 光変調器  (BD06020W)

タイトルに関連する用語 (9件)： InGaAs ,  超高速 ,  交差位相変調 ,  取扱い ,  Y2O3 ,  Si3N4 ,  薄膜 ,  結晶粒 ,  配向