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J-GLOBAL ID:201002258914857910   整理番号:10A0328462

絶縁体上シリコンウェハー上の異方的湿式エッチングによるナノチャネル作製とDNA伸張へのそれらの応用

Fabrication of Nanochannels by Anisotropic Wet Etching on Silicon-on-Insulator Wafers and Their Application to DNA Stretch
著者 (8件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 637-642  発行年: 2010年01月 
JST資料番号: W1351A  ISSN: 1533-4880  CODEN: JNNOAR  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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絶縁体上シリコン(SOI)ウェハ上でシリコン異方的湿式エッチングを用いてナノ規模次元(深さおよび幅)をもつ非常に長いチャネルを作製するための方法を証明する。ナノ規模領域を得るためには光マスク窓の寸法およびシリコン最上層の厚さを適当に選ぶ必要がある。この手法により200nmの幅そして100nmの深さをもつ長い(1cm)ナノチャネルを作製できた。これらのナノチャネルをポリジメチルシロキサン(PDMS)で被覆したカバーガラスで固めた後に,蛍光顕微鏡法を用いて,閉じ込められた構造におけるDNA伸張へのそれらの生物学的応用も調べた。このアプローチは,ナノチャネル作製用の単純な,費用効率的,そして再現可能な溶液を供給できる。これらのナノチャネルはナノ系への生物学的適用のための有用なツールとして役立ちうるだろう。
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分類 (1件):
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核酸一般 

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