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J-GLOBAL ID：201002259029910576   整理番号：10A0761786

様々な芳香族分子によるBNナノチューブの非共有結合性官能基化の理論的研究

Theoretical study of noncovalent functionalization of BN nanotubes by various aromatic molecules

著者 (2件)： ZHAO Jing-xiang ,  DING Yi-hong
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 19  号： 7-9  ページ： 1073-1077  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温あるいは強い酸化剤の支配下におけるCNTの不満足な安定性は,pあるいはn型電界効果トランジスター(FETs)への使用を制限している。窒化ホウ素(BN)ナノチューブは,有望にも,酸化剤に対する優れた抵抗および高温における熱的安定性を有し,また,FETデバイスとしての代替応用の可能性を与える均一な電気特性を有している。本論文では,様々な芳香族分子(C₁₀H₈,C₁₄H₁₀,ポルフィリン,DDQおよびTCNQ分子を含む)によるBNナノチューブの非共有結合性官能基化の理論的計算により,我々は初めて安定なFETデバイスの候補としてのその可能性を評価した。我々は,1)これら芳香族分子が,-0.22(C₁₀H₈)から-0.42eV(ポルフィリン)までの範囲の吸着エネルギーで研究したBN上に安定に吸着されること,2)BNナノチューブの外側の壁上に親電子的分子が吸着することで,より小さいバンドギャップ(~0.90eV)を持つp型半導体を実現すること,2)求核芳香族分子の外面への吸着はn型半導体になることを見出した。この新しいBNナノチューブをベースとした材料はその優れた安定性の上から分子エレクトロニクスとしての有望性を与える。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ホウ素 ,  *ナノチューブ ,  固体素子 ,  FET【トランジスタ】 ,  表面改質 ,  化学修飾 ,  芳香族化合物 ,  吸着 ,  N型半導体 ,  *分子素子

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 芳香族 ,  分子 ,  BN ,  ナノチューブ ,  非共有結合 ,  官能基化 ,  理論 ,  研究