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J-GLOBAL ID：201002259134261729   整理番号：10A0667617

X線光電子分光法により測定したZnO/BaTiO3の価電子バンドオフセット

Valence band offset of ZnO/BaTiO3 heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
著者 (8件)：
JIA C. H.

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(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)

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CHEN Y. H.

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ZHOU X. L.

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YANG A. L.

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ZHENG G. L.

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LIU X. L.

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YANG S. Y.

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WANG Z. G.

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資料名：
Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)

Applied Physics. A. Materials Science & Processing について


巻： 99  号： 2  ページ： 511-514  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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半導体ZnOと強誘電体BaTiO3(BTO)のヘテロ構造はオプトエレクトロニクスにとって極めて興味深い。本研究ではBTO塊,ZnO(200nm)/BTO,ZnO(5nm)/BTOを調べた。価電子バンドオフセットは0.48±0.09eV,伝導バンドオフセットは1.75eVと決定した。界面にタイプIIのバンド整列が形成され,ZnOの価電子バンドと伝導バンドはBTOのものよりも高かった。
シソーラス用語：
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酸化亜鉛

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*ヘテロ構造

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分類 (1件)：
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絶縁体結晶の電子構造 
(BM02070Y)

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タイトルに関連する用語 (5件)：
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