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J-GLOBAL ID：201002259206401784   整理番号：10A0515249

ヒ素に曝露したSiナノ結晶の温度依存光ルミネセンス

Temperature-dependent photoluminescence of arsenic-doped Si nanocrystals

著者 (6件)： SUN Edward (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, Republic of China) ,  SU Fu-hsiang (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, Republic of China) ,  CHEN Ching-huang (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, Republic of China) ,  TSAI Hung-ling (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, Republic of China) ,  YANG Jer-ren (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, Republic of China) ,  CHEN Miin-jang (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, Republic of China)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 130  号： 8  ページ： 1485-1488  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siナノ結晶からの温度依存な光ルミネセンス(PL)の特性とヒ素ドーピング(Asドーピング)の効果を調べた。p型Si基板上のAsドーピング過程は気相ドーピング技術を使って行った。Siナノ結晶からの温度依存PLはAsドーピングがある試料とない試料とではかなり違いを見せた。電子-正孔液体と自由励起子との間の相転移がアンドープSiナノ結晶で観測され,その結果,50K以下の温度でPL強度が増大した。AsドープSiナノ結晶からp-Si基板への電子放出が,50K以上の温度でPL強度が著しく増大する原因になる。Siナノ結晶からの発光特性はシリコンに基づくナノスケールの発光素子の開発が容易になるであろう。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  ナノ結晶 ,  *ヒ素 ,  *光ルミネセンス ,  ドーピング ,  P型半導体 ,  電子正孔液滴 ,  励起子 ,  スペクトル線強度

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (6件)： ヒ素 ,  曝露 ,  Si ,  ナノ結晶 ,  温度依存 ,  光ルミネセンス