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J-GLOBAL ID：201002259209772058   整理番号：10A0315877

帯電液滴衝撃(EDI)-SIMSを用いたポリカーボネート(PC)深さ方向分析

著者 (3件)： 向宗一郎 (山梨大) ,  境悠治 (山梨大) ,  平岡賢三 (山梨大)
資料名： Journal of Surface Analysis  (Journal of Surface Analysis)
巻： 16  号： 3  ページ： A.104  発行年： 2010年03月15日 
JST資料番号： L3852A  ISSN： 1341-1756  CODEN： JSANFX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 表面を1層ずつエッチングできるという特長をもつ帯電液滴衝撃(EDI)によりポリカーボネート(PC)バルクとPC薄膜の二次電子質量分析法(SIMS)による深さ方向分析を行なった。PCバルクではC₇H₇O⁺(m/z=39)やC₉H₁₁O⁺(m/z=43)などの高分子側の断片イオンが観測できた。PC薄膜ではビーム照射後PC由来の信号(m/z=91,135,152,165)を観測した。ビーム照射30分後PC由来の信号が減少し始め,Si由来の信号(m/z=97,175,253)が増大し始めた。EDI-SIMSは高分子に対して低分子側に断片イオンが少ないソフトなイオン化法である。また,高分子の軟らかい分子などの薄膜の深さ方向に対して損傷の少ないエッチングが可能であると思われる。

シソーラス用語： *ポリカーボネート ,  *エッチング ,  *二次イオン質量分析 ,  *深さ分析 ,  照射損傷 ,  液滴 ,  帯電
準シソーラス用語： *帯電液滴衝撃法 ,  SIMS

分類 (1件)： 質量分析  (CC03013N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 帯電 ,  液滴 ,  衝撃 ,  EDI ,  SIMS ,  ポリカーボネート ,  PC ,  深さ方向 ,  分析