文献

J-GLOBAL ID：201002259232124594   整理番号：10A0609978

MOSFETにおけるサブサーマルサブ閾値スイングを与える単一キャリアトンネリング障壁の不能

Inability of Single Carrier Tunneling Barriers to Give Subthermal Subthreshold Swings in MOSFETs

著者 (1件)： SOLOMON Paul M. (IBM T.J. Res. Center, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 6  ページ： 618-620  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネリングは,非熱的電流注入のメカニズムであり,時によって,Schottkyキャリア注入によるFETで,サブサーマルサブ閾値スイングが得られることが考察されている。Schottky障壁含み,1個のバンドのみでトランスファーが生じるFETでは,室温下でサブ閾値スイングを見つけることが非常に難しく,不能であることを示した。逆に,このように,どのような実験的観察またはシミュレーションでも,標準的なFET障壁制御理論,Schottky障壁理論,状態密度を超えて探す必要があることを示した。

シソーラス用語： *トンネル効果 ,  振動 ,  振動振幅 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電子遷移 ,  MOSFET ,  接合形FET ,  FET【トランジスタ】 ,  Schottky障壁 ,  *閾値
準シソーラス用語： *サブスレショルド ,  トンネリング ,  バンド間遷移 ,  電流注入

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOSFET ,  サブ ,  サブ閾値スイング ,  単一キャリア ,  トンネリング ,  障壁