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J-GLOBAL ID：201002259391077467   整理番号：10A1330509

超薄型PVP/high-k HfLaOハイブリッドゲート誘電体を備えた低電圧高性能ペンタセン薄膜トランジスタ

Low-Voltage High-Performance Pentacene Thin-Film Transistors With Ultrathin PVP/High-κ HfLaO Hybrid Gate Dielectric

著者 (5件)： SHIN Woo Cheol (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  MOON Hanul (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  YOO Seunghyup (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  LI Yuxiang (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  CHO Byung Jin (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 11  ページ： 1308-1310  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： OTFT(有機薄膜トランジスタ)用の高分子誘電体は良好な界面品質と可撓性を備えているが,high-k絶縁膜面の高分子被覆構造は十分なゲートキャパシタンスを確保できない。本論文では,PVP(ポリビニルピロリドン)/HfLaOハイブリッド絶縁膜がOTFTの性能を大幅に改善させることを報告した。超薄型有機誘電体と非有機誘電体の組み合わせにより,双方誘電体の利点-(非有機金属-酸化物の高いキャパシタンスと合わせ有機誘電体とチャネル材料間の良好な界面)-を利用することができた。

シソーラス用語： ポリビニルピロリドン ,  誘電体薄膜 ,  ハフニウム化合物 ,  酸化ランタン ,  ハイブリッド方式 ,  酸化膜 ,  薄膜トランジスタ ,  *ゲート【半導体】 ,  ポリアセン ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *high-k膜 ,  ランタン酸化物 ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (7件)： 超薄型 ,  PVP ,  ゲート誘電体 ,  低電圧 ,  高性能 ,  ペンタセン ,  薄膜トランジスタ