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J-GLOBAL ID：201002259398375820   整理番号：10A0855963

擬二元鉛カルコゲナイドの固溶体の特性に関する研究

Investigations on the properties of solid solutions of pseudo-binary lead chalcogenides

著者 (5件)： KUMAR Sushil (Dep. of Physics, Chaudhary Devi Lal Univ., Sirsa-125055, Haryana, IND) ,  LAL Bhajan (Dep. of Physics, Chaudhary Devi Lal Univ., Sirsa-125055, Haryana, IND) ,  ROHILLA Sunil (Dep. of Physics, Guru Jhambheshwer Univ. of Sci. & Technol., Hisar-125001, Haryana, IND) ,  AGHAMKAR P. (Dep. of Physics, Chaudhary Devi Lal Univ., Sirsa-125055, Haryana, IND) ,  HUSAIN M. (Dep. of Physics, Jamia Millia Islamia (Central University), New Delhi-110025, IND)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 505  号： 1  ページ： 135-139  発行年： 2010年08月27日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザ光線を検知し発生する能力を有する鉛カルコゲナイドとそれらの固溶体は大きな技術的重要性を持つ。擬二元鉛カルコゲナイド固溶体の高品質多結晶体薄膜を真空蒸着法によって超清浄ガラス基板上に堆積した。擬二元鉛カルコゲナイド固溶体薄膜の光学的,電気的および構造的特性を調べた。膜の吸収係数とバンドギャップをFTIR分光光度計を用いて波長範囲2500~5000nmにおいて吸光度測定によって決定した。膜のDC伝導率と活性化エネルギーを二プローブI-V特性法を用いて温度範囲300~380Kにおいて測定した。膜の結晶構造と格子定数をX線回折図から決定した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *カルコゲン化物 ,  *鉛化合物 ,  固溶体 ,  真空蒸着 ,  *蒸着膜 ,  吸収係数 ,  バンドギャップ ,  電気伝導率 ,  活性化エネルギー ,  結晶構造 ,  格子定数

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 鉛 ,  カルコゲナイド ,  固溶体 ,  研究