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J-GLOBAL ID:201002259516859241   整理番号:10A0329670

Si(001)電極上に成長したκ-(BEDT-TTF)2SbF6の結晶構造,バンド構造及び電気特性

Crystal structure, band structure and electrical properties of κ-(BEDT-TTF)2SbF6 grown on a Si(001) electrode
著者 (15件):
資料名:
巻: 160  号: 7-8  ページ: 556-560  発行年: 2010年04月 
JST資料番号: C0123B  ISSN: 0379-6779  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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新しいκ-(BEDT-TTF)2SbF6相をSi(001)電極への電着により成長させた。新しい相をX線回折(XRD)と電気伝導率測定及び電子バンド構造とFermi面の計算により特性化した。T=120K以下で電子電導度が減少し,相転移を示唆した。これをアニオンの秩序化によるとした。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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一成分系の相平衡・状態図  ,  分子化合物の結晶構造  ,  有機化合物の電気伝導 
物質索引 (1件):
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