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J-GLOBAL ID：201002259535007590   整理番号：10A0353865

ZnドープしたCdTe中の陽イオンサイト固有欠陥

Cation-site intrinsic defects in Zn-doped CdTe

著者 (6件)： CARVALHO A. (Univ. Exeter, Exeter, GBR) ,  CARVALHO A. (Swiss Federal Inst. of Technol. (EPFL), Lausanne, CHE) ,  TAGANTSEV A. K. (Swiss Federal Inst. of Technol. (EPFL), Lausanne, CHE) ,  OEBERG S. (Lulea Univ. Technol., Lulea, SWE) ,  BRIDDON P. R. (Univ. Newcastle upon Tyne, Newcastle upon Tyne, GBR) ,  SETTER N. (Swiss Federal Inst. of Technol. (EPFL), Lausanne, CHE)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 81  号： 7  ページ： 075215.1-075215.14  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,  *亜鉛 ,  *ドーピング ,  カチオン ,  空格子点 ,  電子構造 ,  イオン輸送 ,  経路 ,  安定性 ,  イオン化 ,  *格子欠陥 ,  マイグレーション【化学物質】 ,  空孔欠陥 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： アンチサイト欠陥 ,  イオン移動 ,  欠陥構造 ,  第一原理計算 ,  平衡濃度

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： Zn ,  ドープ ,  CdTe ,  陽イオン ,  固有欠陥