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J-GLOBAL ID：201002259594413683   整理番号：10A0933127

シリコン(100)ウエハース上で熱蒸発された硫化カドミウム薄膜の光学的,構造的特性

Optical and structural properties of thermally evaporated cadmium sulphide thin films on silicon (100) wafers

著者 (3件)： KHAN Ziaul Raza (Dep. of Physics, Jamia Miilia Islamia (Central University), New Delhi, IND) ,  ZULFEQUAR M. (Dep. of Physics, Jamia Miilia Islamia (Central University), New Delhi, IND) ,  KHAN Mohd. Shahid (Dep. of Physics, Jamia Miilia Islamia (Central University), New Delhi, IND)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 174  号： 1-3  ページ： 145-149  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化カドミウム(CdS)多結晶薄膜が,約2×10⁵Torrの真空中で,熱蒸発技術により超音波で清浄にされたシリコンウエハー(100)上に堆積された。X線回折(XRD),フーリエ変換赤外線(FTIR),ラマン分光法,走査電子顕微鏡(SEM),および分光偏光解析(SE)が,多結晶薄膜を特徴付けるのに使用された。エリプソメトリで推定された膜厚は,263-282nmの範囲であると判明した。薄膜屈折率(n)と消散係数(k)の値が波長と共に減少するのがわかった。XRD結果は六角形の相がある硫化カドミウム薄膜の形成を示した。膜は(002)面に沿った優先方位を持っている。格子定数が=4.135Åと6.742c=Åとして計算され,報告されたデータと良く一致している。多結晶薄膜の光学的性質が分光偏光法で系統的に調査され,バルク硫化カドミウムと比較して,ブルーシフトが観測された。薄膜の光学バンドギャップは2.50eVであると推定される。熱蒸発技術で作られた膜の構造的,光学的特性は光電子デバイスに望ましいのが判明した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化カドミウム ,  *薄膜 ,  ウエハ【IC】 ,  青方偏移 ,  偏光解析法 ,  結晶方位 ,  光学ギャップ ,  X線回折 ,  FTIR分光法 ,  Raman分光法 ,  走査電子顕微鏡 ,  格子定数
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  ブルーシフト ,  *分光偏光解析法 ,  *光学バンドギャップ ,  フーリエ変換赤外分光法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  ウエハース ,  蒸発 ,  硫化カドミウム ,  薄膜 ,  光学 ,  構造的特性