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J-GLOBAL ID：201002259727968888   整理番号：10A0994323

ケイ素(001)面上にMBEにより無触媒成長させたInGaN/GaNナノワイヤ発光ダイオード

Catalyst-Free InGaN/GaN Nanowire Light Emitting Diodes Grown on (001) Silicon by Molecular Beam Epitaxy

著者 (4件)： GUO Wei (Univ. Michigan, Michigan) ,  ZHANG Meng (Univ. Michigan, Michigan) ,  BANERJEE Animesh (Univ. Michigan, Michigan) ,  BHATTACHARYA Pallab (Univ. Michigan, Michigan)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 9  ページ： 3355-3359  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケイ素(001)面上にプラズマ援助MBEによりInGaN/GaNナノワイヤを無触媒成長させた。高分解能電子顕微鏡により欠陥が少ないことを確かめた。In含有量により紫外から赤色まで発光波長を調節でき,結晶成長においてIn濃度を連続的に変えることにより白色発光を得た。発光量子効率は20~35%である。時間分解光ルミネセンス測定により蛍光寿命を求めた。MgおよびSiドープされた1~50nm径のナノワイヤを用いて緑色および白色発光LEDを作製した。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *ナノワイヤ ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  *結晶成長 ,  化学反応 ,  MBE成長 ,  プラズマ ,  高分解能電子顕微鏡 ,  欠陥 ,  *発光ダイオード ,  量子効率 ,  時間分解分光法 ,  光ルミネセンス ,  蛍光寿命 ,  ドーピング ,  マグネシウム ,  ケイ素 ,  可視光 ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  *窒化インジウムガリウム ,  白色発光ダイオード ,  無触媒反応 ,  緑色光

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  発光素子  (NC03082G) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (8件)： ケイ素 ,  MBE ,  触媒 ,  成長 ,  InGaN ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  発光ダイオード