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J-GLOBAL ID：201002259757098322   整理番号：10A0263934

印刷したサブ2V電池の電解質-ゲート付き高分子トランジスタと回路

Printed Sub-2 V Gel-Electrolyte-Gated Polymer Transistors and Circuits

著者 (7件)： XIA Yu (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  ZHANG Wei (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  HA Mingjing (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  CHO Jeong Ho (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  RENN Michael J. (Optomec, Inc., MN, USA) ,  KIM Chris H. (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  FRISBIE C.Daniel (Univ. Minnesota, MN, USA)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 20  号： 4  ページ： 587-594  発行年： 2010年02月22日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インクジェット印刷法による全有機薄膜トランジスタの作製について紹介した。PENを基板とし,電極材料にPEDOT:PSSを用い,半導体層にはP3HT高分子を用い,そのチャンネル上の誘電体層としてポリスチレン系ゲル化剤添加のEMIM・TFSIイオン液体電解質ゲルを使用した。幅1000μmと長さ50~10μmの典型的なチャンネル構造の上に,10μmのイオンゲル誘電体や40nmの電極を構成し,印刷後に105°C×1hで乾燥して有機THTを作製した。ゲル誘電体が短い分極応答時間と大きな静電容量を持つため,作製したTHFは作動電圧や作動速度,出力電流などに優れた性能を持っていた。また,リング発振器や整流器,フリップ-フロップ回路などの作製事例も紹介した。

シソーラス用語： *有機半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  厚膜回路 ,  薄膜回路 ,  半導体プロセス ,  製膜 ,  *インクジェット印刷 ,  誘電体 ,  イオン液体 ,  ゲル ,  応答時間 ,  リング発振器 ,  整流器 ,  双安定回路

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブ ,  電池 ,  電解質 ,  ゲート ,  分子トランジスタ