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J-GLOBAL ID：201002259803448856   整理番号：10A0760951

メタンからの化学蒸着によるニッケル粒子上の単層や数層グラフェンの大量成長

Bulk growth of mono- to few-layer graphene on nickel particles by chemical vapor deposition from methane

著者 (8件)： CHEN Zongping (Shenyang National Lab. for Materials Sci., Inst. of Metal Res., Chinese Acad. of Sciences, Shenyang 110016, CHN) ,  REN Wencai (Shenyang National Lab. for Materials Sci., Inst. of Metal Res., Chinese Acad. of Sciences, Shenyang 110016, CHN) ,  LIU Bilu (Shenyang National Lab. for Materials Sci., Inst. of Metal Res., Chinese Acad. of Sciences, Shenyang 110016, CHN) ,  GAO Libo (Shenyang National Lab. for Materials Sci., Inst. of Metal Res., Chinese Acad. of Sciences, Shenyang 110016, CHN) ,  PEI Songfeng (Shenyang National Lab. for Materials Sci., Inst. of Metal Res., Chinese Acad. of Sciences, Shenyang 110016, CHN) ,  WU Zhong-shuai (Shenyang National Lab. for Materials Sci., Inst. of Metal Res., Chinese Acad. of Sciences, Shenyang 110016, CHN) ,  ZHAO Jinping (Shenyang National Lab. for Materials Sci., Inst. of Metal Res., Chinese Acad. of Sciences, Shenyang 110016, CHN) ,  CHENG Hui-ming (Shenyang National Lab. for Materials Sci., Inst. of Metal Res., Chinese Acad. of Sciences, Shenyang 110016, CHN)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 48  号： 12  ページ： 3543-3550  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 常圧でのメタンからの化学蒸着によるニッケル粒子上の単層や数層グラフェンの大量成長の方法について述べる。5minの成長時間で,使用したニッケル粒子の重さの約2.5%のグラフェン収率が達成された。走査型や透過型電子顕微鏡,Raman分光法,熱重量分析,電気伝導度測定は,得られたグラフェンの高い品質を明らかにする。近いニッケル粒子のギャップに橋を架けて,このプロセスの間に,橋架けグラフェンが調製できる。グラフェンの成長の後に,グラフェンシートの品質の低下なしに,適度のFeCl₃/HClエッチング処理によってニッケル粒子を取り除くことができる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *グラファイト ,  化学蒸着 ,  ニッケル触媒 ,  ナノ粒子 ,  気相成長 ,  収率 ,  プロセスパラメータ ,  ナノ構造 ,  脱金属 ,  アルカン ,  *グラフェン

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  触媒操作  (XE01050T)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (6件)： メタン ,  化学蒸着 ,  ニッケル ,  単層 ,  数層グラフェン ,  成長