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J-GLOBAL ID:201002260215374038   整理番号:10A1032344

ポリ(4-スチレンスルホン酸)/n-型Siダイオードをドープしたポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)の光発電特性に対する紫外線処理の影響

Effects of ultraviolet treatment on the photovoltaic property of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) doped with poly(4-styrenesulfonate)/n-type Si diodes
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資料名:
巻: 94  号: 12  ページ: 2154-2157  発行年: 2010年12月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ポリ(4-スチレンスルホン酸)/n-型Siダイオードをドープしたポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)の光発電特性を調べた。紫外線処理によりデバイスの直列抵抗が低下して,光の中の電力変換効率が改善された。この太陽電池ではポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(4-スチレンスルホン酸)の導電性が重要な役割をしていることが示された。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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太陽電池 

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