文献

J-GLOBAL ID：201002260230664816   整理番号：10A0135738

n及びp型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのゲート誘起ドレイン漏れ電流におけるランダム電信雑音のキャラクタリゼーション

Characterization of random telegraph noise in gate induced drain leakage current of n- and p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

著者 (3件)： LEE Ju-wan (School of Electrical Engineering and Computer Sci. and Inter-University Semiconductor Res. Center (ISRC), Seoul ...) ,  SHIN Hyungcheol (School of Electrical Engineering and Computer Sci. and Inter-University Semiconductor Res. Center (ISRC), Seoul ...) ,  LEE Jong-ho (School of Electrical Engineering and Computer Sci. and Inter-University Semiconductor Res. Center (ISRC), Seoul ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 4  ページ： 043502  発行年： 2010年01月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールn及びp型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のゲート誘起ドレイン漏れ電流におけるランダム電信雑音を,はじめて観測し,分析した。キャリアの捕獲及び放出確率を,ゲート電圧及び温度に関して分析した。n及びpMOSFETにおける放出時間(τ_e)は,V_GSへの依存性をもたなかったが,τ_eがn及びpMOSFETにおける捕獲時間(τ_c)より大きく温度上昇とともに減少するために,温度に強く依存した。V_GSが増大するにつれ,n及びpMOSFETにおけるτ_cは減少した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOSFET ,  *漏れ電流 ,  キャリア捕獲 ,  温度依存性
準シソーラス用語： *nMOSFET ,  *pMOSFET ,  *電信雑音 ,  キャリア放出 ,  ゲート電圧

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  雑音一般  (ND04010J)

タイトルに関連する用語 (8件)： 酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  ゲート ,  誘起 ,  ドレイン ,  漏れ電流 ,  電信雑音 ,  キャラクタリゼーション