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J-GLOBAL ID：201002260280561775   整理番号：10A0229955

nc-Si/a-SiO₂膜のエレクトロルミネセンス性能に及ぼす帯電効果

Charging effect on electroluminescence performance of nc-Si/a-SiO₂ films

著者 (5件)： ZHANG Wa Li (School of Mechanical and Aerospace Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP) ,  ZHANG Sam (School of Mechanical and Aerospace Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP) ,  YANG Ming (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP) ,  LIU Zhen (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP) ,  CHEN Tu Pei (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 4  ページ： 043709  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性マグネトロンスパッタリングにより珪素ナノ結晶を合成し,ゲート酸化膜全体に分布させた。珪素ナノ結晶(nc-Si)を埋込んだ非晶質二酸化珪素(a-SiO₂)膜からのエレクトロルミネセンス(EL)を異なるゲート電圧下で調べた。積分EL強度とゲート電流はゲート電圧と共に最初増加し,続いて減少した。EL強度の低下はnc-Siに関係する捕獲中心の帯電に起因した。正の電気応力を加えた捕獲電荷の一部を開放することで,EL強度を部分的に回復できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *エレクトロルミネセンス ,  マグネトロンスパッタリング ,  ナノ結晶 ,  二酸化ケイ素 ,  非晶質 ,  *半導体薄膜 ,  半導体材料 ,  電圧 ,  電流 ,  捕獲中心 ,  *効果 ,  *帯電
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  ゲート電流 ,  *帯電効果

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： NC ,  Si ,  SiO2 ,  エレクトロルミネセンス ,  帯電