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J-GLOBAL ID：201002260301934135   整理番号：10A0488625

NドープZnO薄膜の光ルミネセンスと共鳴Raman散乱

Photoluminescence and resonant Raman scattering in N-doped ZnO thin films

著者 (8件)： ZHU Xiaming (Dep. of Physics, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  WU Hui-zhen (Dep. of Physics, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  WU Hui-zhen (State Key Lab. of Modern Optical Instrumentations, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  QIU Dong-jiang (Dep. of Physics, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  YUAN Zijian (Dep. of Physics, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  JIN Guofen (Dep. of Physics, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  KONG Jinfang (Dep. of Physics, Shanghai Jiaotong Univ., Shanghai 200030, CHN) ,  SHEN Wenzhong (Dep. of Physics, Shanghai Jiaotong Univ., Shanghai 200030, CHN)
資料名： Optics Communications  (Optics Communications)
巻： 283  号： 13  ページ： 2695-2699  発行年： 2010年07月01日 
JST資料番号： A0678B  ISSN： 0030-4018  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NドープZnO薄膜の光ルミネセンスと共鳴Raman散乱の組合せを室温で調べた。光ルミネセンススペクトルでは自由励起子からドナー-アクセプタ対遷移への放射再結合機構の変換を観測した。Ramanスペクトルでは共鳴Raman散乱過程の増強と同時に,6次までの縦光学(LO)フォノンの倍音を観測した。また,1LOフォノンの性質には純粋なA₁(LO)モードからA₁とE₁の対称性が混合した準モードへの変換が現われた。ZnOの光学特性に及ぼすNドーピングの影響を考慮した基礎的機構は結晶格子における固有欠陥の取込みに関連している。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  窒素 ,  *光ルミネセンス ,  *共鳴Raman散乱 ,  室温 ,  発光スペクトル ,  スペクトル解析 ,  励起子 ,  ドナー-アクセプタ対 ,  電子遷移 ,  キャリア再結合 ,  フォノン ,  縦モード ,  倍音 ,  モード変換 ,  結晶格子 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： ワイドギャップ半導体 ,  自由励起子 ,  光学フォノン

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  ZnO薄膜 ,  光ルミネセンス ,  共鳴Raman散乱