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J-GLOBAL ID：201002260629543800   整理番号：10A0605183

銀電極上での二次元Ostwald熟成のシミュレーション

A simulation of two-dimensional Ostwald ripening on silver electrodes

著者 (4件)： LUQUE Noelia B. (Inst. of Theoretical Chemistry, Ulm Univ., D-89069 Ulm, DEU) ,  IBACH Harald (Forschungszentrum Juelich, IBN-4 D-52425 Juelich, DEU) ,  POETTING Kay (Inst. of Theoretical Chemistry, Ulm Univ., D-89069 Ulm, DEU) ,  SCHMICKLER Wolfgang (Inst. of Theoretical Chemistry, Ulm Univ., D-89069 Ulm, DEU)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 55  号： 19  ページ： 5411-5413  発行年： 2010年07月30日 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属島のOstwald熟成を,量子化学計算の結果および入力データとしての埋込み原子法の結果を使用して速度論的モンテカルロシミュレーションによって調べた。Au(100)上でのOstwald熟成は常温では速度論的に妨げられていることが分かった。対照的に,Ag(100)上の小さな島は非荷電のおよび正に荷電した表面上では容易に崩壊した。熟成の速度は温度および表面電荷の両方とともに増大した。後者の効果は局所的双極子モーメントと二重層場との相互作用によって引き起こされた。本研究によって,場が金属電極の表面移動度に及ぼす効果についての最近の研究が確認され,拡張された。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電極 ,  *Ostwald成長 ,  *計算機シミュレーション ,  入力 ,  速度論 ,  抑制 ,  結晶面 ,  崩壊 ,  成長速度 ,  温度依存性 ,  表面電荷 ,  局所性 ,  双極子モーメント ,  島状構造 ,  電気二重層 ,  相互作用 ,  移動度 ,  *電極触媒 ,  *金 ,  二次元 ,  析出物
準シソーラス用語： モンテカルロシミュレーション ,  *銀電極 ,  常温 ,  正電荷 ,  埋込み原子法 ,  量子化学計算

分類 (4件)： 電気化学一般  (CB07010N) ,  貴金属触媒  (CB06122I) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H) ,  金属の結晶成長  (BK13030M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 銀電極 ,  Ostwald熟成 ,  シミュレーション