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J-GLOBAL ID：201002260749648656   整理番号：10A0366324

多重量子-バリア電子障壁層を用いたAlGaN深紫外線発光ダイオードの効率の著しい強化

Marked Enhancement in the Efficiency of Deep-Ultraviolet AlGaN Light-Emitting Diodes by Using a Multiquantum-Barrier Electron Blocking Layer

著者 (9件)： HIRAYAMA Hideki (RIKEN(Inst. Physical and Chemical Res.), Saitama, JPN) ,  HIRAYAMA Hideki (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  TSUKADA Yusuke (RIKEN(Inst. Physical and Chemical Res.), Saitama, JPN) ,  TSUKADA Yusuke (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  TSUKADA Yusuke (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  MAEDA Tetsutoshi (RIKEN(Inst. Physical and Chemical Res.), Saitama, JPN) ,  MAEDA Tetsutoshi (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  KAMATA Norihiko (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  KAMATA Norihiko (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 3  ページ： 031002.1-031002.3  発行年： 2010年03月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多重量子-バリア(MQB)電子-障壁層(EBLs)を導入してAlN/サファイヤ・テンプレート上に作った高効率250~262nm 深紫外AlGaN多重量子井戸(DUV)(MQW)発光ダイオード(LED)を実証した。普通の”単一障壁”EBLをMQB-EBLと取り替えることによって2.7倍までの効率の著しい強化を250nmのAlGaN LEDで観察した。室温(RT)の連続波動作で測定したMQB-EBLsのLEDの最大外部量子効率と出力は,250nmと262nmのLEDで,それぞれ1.18%と4.8mW,及び1.54%と10.4mW,であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *障壁 ,  窒化ガリウム ,  窒化アルミニウム ,  *発光ダイオード ,  効率 ,  *多重量子井戸 ,  極端紫外線 ,  出力

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (12件)：

• HIRAYAMA, H. J. Appl. Phys. 2005, 97, 091101
• KINOSHITA, A. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 175
• HIRAYAMA, H. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 071901
• ZHANG, J. P. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4910
• ADIVARAHAN, V. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2175

タイトルに関連する用語 (9件)： 多重 ,  量子 ,  バリア ,  電子 ,  障壁層 ,  AlGaN ,  深紫外線 ,  発光ダイオード ,  強化