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J-GLOBAL ID：201002260926100798   整理番号：10A0369655

MRAM最前線 垂直磁化方式スピン注入書き込みMRAM

Spin-Transfer Torque writing Magneto-Resistive Random Access Memory with Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions

著者 (1件)： 與田博明 (東芝 研開セ)
資料名： まぐね  (Magnetics Japan)
巻： 5  号： 4  ページ： 184-190  発行年： 2010年04月01日 
JST資料番号： L5842A  ISSN： 1880-7208  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MRAMは不揮発性メモリであるが,情報の書換え回数に制限が無く,また,書換え時間が短いためワークメモリに適している。しかし,MRAMの最大の課題は書込み電流が高いことであった。本稿では,この問題を解決するために開発した垂直磁化方式磁気トンネル接合(MTJ)を用いたスピン注入書込みMRAMについて解説した。ワークメモリとしての前提である,データ書込みの確実性,書込み速度,書込み耐性についてデータを示して説明した。さらに,垂直磁化方式の利点として,10nm以下までの不揮発性の確保,DRAMと同等の微細セルサイズ(6F²)の実現性,および,スピン注入磁化反転エネルギー面での高効率性について述べた。そして,垂直磁化方式の課題として,高MR化と書込み電流値の低減について述べた。最後にスケーラビリティとして,30nm程度まで可能であると述べた。

シソーラス用語： 注入 ,  *スピン分極 ,  *垂直磁化 ,  データ書込 ,  トンネル接合 ,  磁気抵抗効果 ,  *不揮発性メモリ ,  精密化 ,  スケーリング【計数】 ,  *MRAM ,  磁化反転
準シソーラス用語： スピン注入 ,  磁気トンネル接合 ,  微細化

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (18件)：

• DURLAM, M. IEDM Technical Digest 2003. 2003, 995
• YODA, H. IEEE Trans. Magn., 2006. 2006, 42, 2724
• HOSOMI, M. IEDM Technical Digest 2005. 2005, 459
• HUAI, Y. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 16, 3118
• YODA, H. 7^<th> IWFIPT, Session IIIc

タイトルに関連する用語 (3件)： MRAM ,  垂直磁化 ,  スピン注入書き込みMRAM