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J-GLOBAL ID：201002261134088835   整理番号：10A0356275

両極性p-i-n層状構造をベースにした有機発光電界効果トランジスタ

Organic light emitting field effect transistors based on an ambipolar p-i-n layered structure

著者 (5件)： MAIORANO V. (National Nanotechnology Lab. (NNL), CNR-Nanoscience Inst., Via Arnesano 16, 73100 Lecce, ITA) ,  BRAMANTI A. (STMicroelectronics Srl, Distretto Tecnologico, ISUFI, Via Arnesano 16, 73100 Lecce, ITA) ,  CARALLO S. (National Nanotechnology Lab. (NNL), CNR-Nanoscience Inst., Via Arnesano 16, 73100 Lecce, ITA) ,  CINGOLANI R. (Italian Inst. of Technol., Via Morego 30, 16163 Genova, ITA) ,  GIGLI G. (National Nanotechnology Lab. (NNL), CNR-Nanoscience Inst., Via Arnesano 16, 73100 Lecce, ITA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 13  ページ： 133305  発行年： 2010年03月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2つのドープされた輸送層間に挟まれた活性媒質を持つボトムコンタクト/トップのゲート両極性「p-i-n」層状発光電界効果トランジスタを報告する。ドーピング分布はデバイスの電気特性と同様に発光容量にとって非常に重要となる。この意味で比較的低印加ゲート/ドレイン電圧における高出力電流と全体の大面積トランジスタチャネルに沿った発光が観察され,平面複雑デバイスにおいて有機発光電界効果トランジスタのベースからの完全統合がなされた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *トランジスタ ,  *PIN接合 ,  ドーピング ,  極性 ,  *ドーパント ,  *濃度分布
準シソーラス用語： *有機発光トランジスタ ,  両極性

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 両極性 ,  層状構造 ,  電界効果トランジスタ