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J-GLOBAL ID：201002261419313123   整理番号：10A0270699

多重入射角偏光解析法によるカルコゲナイド薄膜の光学特性評価

Optical characterization of thin chalcogenide films by multiple-angle-of-incidence ellipsometry

著者 (3件)： TODOROV R. (Central Lab. of Photoprocesses, Bulgarian Acad. of Sciences, Acad. G. Bonchev Str., bl. 109, 1113 Sofia, BGR) ,  PANEVA A. (Sofia Univ. “St. Kliment Ohridski”, Fac. of Physics, 5 James Boucher Ave., 1164 Sofia, BGR) ,  PETKOV K. (Central Lab. of Photoprocesses, Bulgarian Acad. of Sciences, Acad. G. Bonchev Str., bl. 109, 1113 Sofia, BGR)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 12  ページ： 3280-3288  発行年： 2010年04月02日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： As-S(Se)系及びAs-S-Se系からなるカルコゲナイド薄膜の光学的性質を薄膜組成,膜厚,光照射条件の関数として,多重入射角偏光解析法によって研究した。薄膜は熱蒸着で作製され,白色光(ハロゲンランプ),Ar⁺(λ=488.514nm)及びHe-Ne(λ=632.8nm)レーザからの光を照射された。偏光解析測定はλ=632.8nmで,45~55°の区間で異なる3つの入射角で行われた。等方吸収層モデルを適用して光学定数(屈折率n,及び消衰係数k)と膜厚dを計算した。薄膜の均一性は異なる角度での単一角計算を適用してチェック及び確認した。As-S-Se薄膜の屈折率nは50から1000nmの範囲で膜厚に依存せず,その値は組成As₂S₃とAs₂Se₃を持つ薄層でそれぞれ2.45から3.05まで変化した。ヒ素含有層における光黒化現象のプロセスに関係する屈折率の増加効果が光曝露後に観測された。非常に薄いカルコゲナイド薄膜の光学定数を高精度で決定する方法の実行可能性が確認された。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 硫化ヒ素 ,  セレン化ヒ素 ,  *カルコゲン化物ガラス ,  非晶質半導体 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  真空蒸着 ,  薄膜成長 ,  *光学定数 ,  膜厚 ,  化学組成 ,  屈折率 ,  *偏光解析法 ,  入射角

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多重 ,  入射角 ,  偏光解析法 ,  カルコゲナイド ,  薄膜 ,  光学特性評価