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J-GLOBAL ID：201002261421379670   整理番号：10A0093893

InGaN合金でのバンド湾曲とバンド整列

Band bowing and band alignment in InGaN alloys

著者 (2件)： MOSES Poul Georg (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA) ,  VAN DE WALLE Chris G. (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 2  ページ： 021908  発行年： 2010年01月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN合金について,HSE06ハイブリッド交換-相関汎関数を用いた密度汎関数理論計算を行って,バンドギャップおよびバンド整列を正確に決定した。著者らは,低In濃度で,顕著なバンドギャップ湾曲を見出した。絶対エネルギースケールでのバンド位置を,表面計算から決定した。その結果としてのGaN/InN価電子バンドオフセットは0.62eVであった。InGaN価電子バンド整列のIn濃度依存性はほぼ線形であることが分かった。バンドギャップとバンド整列との値に基づいて,著者らは,50%までのIn濃度について,InGaNは,光電気化学電極に対する要求を満足すると結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  窒化物 ,  置換型固溶体 ,  *バンドギャップ ,  *バンドオフセット ,  密度汎関数法 ,  交換相互作用 ,  電子相関 ,  価電子バンド ,  濃度依存性 ,  光電気化学

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  合金 ,  バンド ,  湾曲 ,  バンド整列