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J-GLOBAL ID:201002261541673076   整理番号:10A1031617

電位差センサアレイの最近の動向-総説

Recent trends in potentiometric sensor arrays-A review
著者 (3件):
資料名:
巻: 678  号:ページ: 149-159  発行年: 2010年09月30日 
JST資料番号: A0394A  ISSN: 0003-2670  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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今日,分析化学応用でのセンサアレイフォーマットに利用できるポリマー系,又は固体状態膜に基づく広範囲のイオンセンサがある。本稿は,ポリマー系,又は固体状態膜を伴う従来のイオン選択電極(ISEs),被覆ワイア電極(CWE)を含む固体-接触電極(SCE),イオン感受性電界効果トランジスタ(ISFETs),及び光アドレス電位差センサ(LAPS)などの種々の変換原理に基づく電位差センサアレイを開発し,利用するための注目すべき方法を概説する。電位差センサアレイの開発と応用についての最新の文献を分析し,若干の課題のあらましを述べ,動向を議論する。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
分類
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電気分析一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
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