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J-GLOBAL ID：201002261646201749   整理番号：10A0794129

低コストミリ波応用のための膜基板を用いたウエハレベルファンアウト(WLFO)の電気的キャラクタリゼーション

Electrical Characterization of Wafer Level Fan-Out (WLFO) Using Film Substrate for Low Cost Millimeter Wave Application

著者 (11件)： LEE SeungJae (Amkor Technol. Korea, Seoul, KOR) ,  KIM SangWon (Amkor Technol. Korea, Seoul, KOR) ,  KARIM Nozad (Amkor Technol. Korea, Seoul, KOR) ,  DUNLAP Brett (Amkor Technol. Korea, Seoul, KOR) ,  JUNG BooYang (Amkor Technol. Korea, Seoul, KOR) ,  BAE KiCheol (Amkor Technol. Korea, Seoul, KOR) ,  YU JiHeon (Amkor Technol. Korea, Seoul, KOR) ,  CHUNG YoungSuk (Amkor Technol. Korea, Seoul, KOR) ,  HWANG ChanHa (Amkor Technol. Korea, Seoul, KOR) ,  KIM JinYoung (Amkor Technol. Korea, Seoul, KOR) ,  LEE ChoonHeung (Amkor Technol. Korea, Seoul, KOR)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 60th Vol.3  ページ： 1461-1467  発行年： 2010年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微細化に対応できることからウエハレベルチップスケールパッケージ(WLCP)が注目されている。本稿では,アジノモトビルドアップ膜(ABF)基板を用いてWLファンアウト(FO)技術について検討した。厚さ40μmのABFを用いてレーザアブレーションプロセスで金属およびビアパターンを作成した。誘電率が10GHzで3.12,損失正接0.019と2.71と0.013の2種類のABF材料を用いた。この結果により,本技術がミリ波応用のための高密度配線と寄生効果低減を可能とすることを示した。本手法によるWLFOは直流から10GHz程度まで良好な電気的特性を示した。低kのABF基板を用いることにより,高周波数領域で良好な電気的特性を示した。

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  *ICパッケージ ,  プリント基板 ,  *ウエハ【IC】 ,  レーザアブレーション ,  バイアホール ,  誘電率 ,  損失正接 ,  電気的性質 ,  高密度実装
準シソーラス用語： Si貫通ビア ,  ウエハレベルチップスケールパッケージ ,  ビルドアップ基板 ,  *ファンアウト ,  電気的特性 ,  微細化

分類 (1件)： プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (3件)： ミリ波 ,  応用 ,  キャラクタリゼーション