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J-GLOBAL ID：201002261754115905   整理番号：10A0894693

液相エピタクシーによるGaAs基板上への(InSb)_1-x(Sn₂)_x薄膜の成長

Growth of (InSb)_1-x(Sn₂)_x Films on GaAs Substrates by Liquid-Phase Epitaxy

著者 (4件)： SAIDOV A. S. (Starodubtsev Physicotechnical Inst., Acad. of Sci. of Uzbekistan, Tashkent, UZB) ,  SAIDOV M. S. (Starodubtsev Physicotechnical Inst., Acad. of Sci. of Uzbekistan, Tashkent, UZB) ,  USMONOV Sh. N. (Starodubtsev Physicotechnical Inst., Acad. of Sci. of Uzbekistan, Tashkent, UZB) ,  ASATOVA U. P. (Urgench State Univ., Urgench, UZB)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 7  ページ： 938-945  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液相エピタクシーによってIn溶液からGaAs基板上へ(InSb)_1-x(Sn₂)_x(0≦x≦0.05)薄膜を成長させ,得たn-GaAs-p-(InSb)_1-x(Sn₂)_xから成るヘテロ構造の異なる温度の下における特性を,X線回折および電流-電圧測定によって研究した結果を報告する。X線回折による解析から,InSbおよび(InSb)_1-x(Sn₂)_x合金に関する格子パラメータを決定し,それぞれ6.475Åおよび6.486Åを得た。この構造における順方向の電流-電圧特性は,0.7V以下の低電圧域ではI=I₀exp(qV/ckT)で表され,0.9V以上ではV=V₀exp(Jad)[a:格子パラメータ;d:ベース長]で表されることが分かった。ここで,Jは電流密度,そしてaは多数キャリヤの拡散係数と深い準位の濃度に依存するパラメータである。実験結果は,キャリアの注入によって生じる空乏効果の理論によって説明されることが分かった。また,多数キャリアの移動度と深い準位の不純物濃度との積は温度の上昇に伴って減少することが分かった。

シソーラス用語： 液相成長 ,  *ヒ化ガリウム ,  基板 ,  *アンチモン化インジウム ,  *スズ ,  *固溶体 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ヘテロ接合 ,  X線回折 ,  電流電圧特性 ,  格子定数 ,  深い準位 ,  キャリア拡散 ,  拡散係数 ,  キャリア注入 ,  キャリア移動度 ,  不純物濃度 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 液相エピタクシー ,  空乏化

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 液相エピタクシー ,  GaAs基板 ,  InSb ,  薄膜 ,  成長