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J-GLOBAL ID：201002261755685500   整理番号：10A0519123

ディップペンナノリソグラフィーによりパターン化したエッチマスクを用いた単層カーボンナノチューブ上での平行電極アレイの作製

Parallel Fabrication of Electrode Arrays on Single-Walled Carbon Nanotubes using Dip-Pen-Nanolithography-Patterned Etch Masks

著者 (3件)： PARK Steve (Stanford Univ., California) ,  WANG Wechung Maria (Stanford Univ., California) ,  BAO Zhenan (Stanford Univ., California)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 26  号： 9  ページ： 6853-6859  発行年： 2010年05月04日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ディップペンナノリソグラフィー(DPN)法を用い,電極間の隙間が100nm以下のAu電極(幅2.1あるいは1μm)が35μmの間隔で平行に26組配置した電極アレイの高スループット製作法を開発した。酸化ケイ素基板を3-アミノプロピルトリメトキシシラン(APTMS)で被覆し,その上に単層カーボンナノチューブ(SWNT)層を形成した。SWNT層の上にAu薄膜を一様蒸着し,その上に薄い長方形の金属マスク2枚を約50μm隔てて固定し,さらにAu膜を蒸着した。チップ-チップ間距離が35μmの26個のカンチレバーアレイを16-メルカプトヘキサデカン酸(MHA)溶液に浸漬した。このMHA付着カンチレバーアレイを用いて,Au膜上にMHAを一定のパターンで堆積した。MHA堆積領域以外のAu膜をFe(NO₃)₃/チオ尿素/オクタノール-水溶液(pH2.1)による湿潤化学的エッチングにより除去した。この方法で得た平行金電極アレイの特性を調べ,その応用可能性について検討した。

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  *電極 ,  単層カーボンナノチューブ ,  *パターン形成 ,  金電極
準シソーラス用語： *ディップペンナノリソグラフィー ,  *電極アレイ

分類 (1件)： 電気化学一般  (CB07010N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ディップペンナノリソグラフィー ,  エッチ ,  マスク ,  単層カーボンナノチューブ ,  電極アレイ ,  作製