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J-GLOBAL ID：201002261868123193   整理番号：10A0078270

電界誘起抵抗変化物質SrFeO_3-xの結晶成長とそのスイッチング特性

著者 (5件)： 鬼頭伸弥 (名古屋工大 院) ,  横田壮司 (名古屋工大 院) ,  村田章太郎 (名古屋工大 院) ,  坪井康敏 (名古屋工大 院) ,  五味學 (名古屋工大 院)
資料名： 日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会講演要旨集  (日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会講演予稿集)
巻： 2009  ページ： 53  発行年： 2009年11月28日 
JST資料番号： L6117A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  電場効果 ,  *鉄酸塩 ,  ストロンチウム化合物 ,  *結晶成長 ,  特性 ,  点欠陥 ,  結晶度 ,  基板温度 ,  マグネトロンスパッタリング ,  RFスパッタリング ,  微細構造 ,  結晶構造 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 抵抗変化メモリ ,  電界効果 ,  *スイッチング特性 ,  酸素欠損 ,  微細組織

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電界 ,  誘起 ,  抵抗変化 ,  物質 ,  結晶成長 ,  スイッチング特性