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J-GLOBAL ID：201002261891902051   整理番号：10A0921062

InP HBT技術に基づくTHz MMIC

THz MMICs based on InP HBT Technology

著者 (7件)： HACKER Jonathan (Teledyne Scientific Co., CA, USA) ,  SEO Munkyo (Teledyne Scientific Co., CA, USA) ,  YOUNG Adam (Teledyne Scientific Co., CA, USA) ,  GRIFFITH Zach (Teledyne Scientific Co., CA, USA) ,  URTEAGA Miguel (Teledyne Scientific Co., CA, USA) ,  REED Thomas (Univ. California, CA, USA) ,  RODWELL Mark (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2010 Vol.2  ページ： 1397-1401  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.3から3テラヘルツ(THz)までの波長帯が画像処理,レーダ,分光学,および,通信への応用に期待されている。インジウムリン(InP)二重ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(DHBT)をベースにした一組のテラヘルツモノリシック集積回路(TMIC)について報告する。このTMICは256nm InP DHBTトランジスタと多目的3金属層相互接続系を用いて作製される。InP DHBT MMICプロセスはTMICに適している。その理由は高いバンド幅(f_max=808GHz),高い降伏電圧(BVCB₀=4V),および,10μm厚の集積化BCB誘電体層が可能なためである。この誘電体層はLNA,PA,および,VCO同調ネットワーク用の低損失THzマイクロストリップライン,および,コンパクトなディジタル,アナログブロックの高密度薄膜相互接続をサポートする。TMIC低ノイズ増幅器,駆動増幅器,固定および電圧制御発振器,動的周波数分割器,両側バランスGilbertセルミキサを設計し製作した。これらの結果から,256nm InP DHBT技術はTHz周波数で動作する高度な単一チップヘテロダイン受信機とエキサイタを可能にするとわかった。

シソーラス用語： サブミリ波 ,  *MMIC ,  *HBT【トランジスタ】 ,  リン化インジウム ,  *バイポーラトランジスタ ,  実装設計 ,  VCO【発振器】 ,  入出力特性 ,  周波数特性
準シソーラス用語： DHBT

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (3件)： InP ,  HBT ,  MMIC