文献

J-GLOBAL ID：201002262001387070   整理番号：10A0467503

CuドープBNシートにおけるスピンおよびバンドギャップ技術

Spin and band-gap engineering in copper-doped BN sheet

著者 (9件)： ZHOU Y.g. (Dep. of Applied Physics, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, CHN) ,  ZHOU Y.g. (International Center for Material Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shengyang 110015, CHN) ,  JIANG X.d. (Dep. of Applied Physics, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, CHN) ,  JIANG X.d. (Res. Center of Laser Fusion, China Acad. of Engineering Physics, Mianyang 621900, CHN) ,  DUAN G. (Dep. of Applied Physics, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, CHN) ,  GAO F. (Res. Center of Laser Fusion, China Acad. of Engineering Physics, Mianyang 621900, CHN) ,  GAO F. (Pacific Northwest National Lab., MS K8-93, P.O. Box 999, Richland, WA 99352, USA) ,  ZU X.t. (Dep. of Applied Physics, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, CHN) ,  ZU X.t. (International Center for Material Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shengyang 110015, CHN)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 491  号： 4-6  ページ： 203-207  発行年： 2010年05月17日 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ホウ素 ,  単結晶 ,  六方晶系 ,  ドーピング ,  銅 ,  単分子層 ,  二分子層 ,  *バンドギャップ ,  計算 ,  密度汎関数法 ,  プログラムパッケージ ,  *吸着 ,  *電子構造 ,  磁気モーメント
準シソーラス用語： PW91 ,  VASP【計算機プログラム】 ,  第一原理計算 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  一般化勾配近似

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  ドープ ,  BN ,  スピン ,  バンドギャップ