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J-GLOBAL ID：201002262083384163   整理番号：10A0349056

中性子・放射光X線を用いた(Bi,La)₄(Ti,Mo)₃(O,F)₁₂強誘電体の結晶・電子構造解析

著者 (3件)： 飯山昂 (東京理大 理工) ,  北村尚斗 (東京理大 理工) ,  井手本康 (東京理大 理工)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集
巻： 2010  ページ： 6  発行年： 2010年03月22日 
JST資料番号： X0505A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  材料 ,  環境保全 ,  *チタン酸塩 ,  ビスマス化合物 ,  ランタン化合物 ,  モリブデン化合物 ,  置換 ,  フッ素 ,  結晶構造 ,  電子構造 ,  *構造解析 ,  中性子回折 ,  シンクロトロン放射 ,  X線回折 ,  XANES ,  放射光施設 ,  Rietveld法 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  誘電性
準シソーラス用語： 無鉛材料 ,  サイト占有 ,  SPring-8

分類 (2件)： 絶縁材料  (NA04030W) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (11件)： 中性子 ,  放射光 ,  X線 ,  Bi ,  La ,  Ti ,  Mo ,  強誘電体 ,  結晶 ,  電子構造 ,  解析