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J-GLOBAL ID：201002262102297641   整理番号：10A0526491

オフ状態の量子収率と多重励起子のブリンキングからの半導体ナノ結晶の蛍光の間欠性の帯電モデルへの挑戦

Challenge to the Charging Model of Semiconductor-Nanocrystal Fluorescence Intermittency from Off-State Quantum Yields and Multiexciton Blinking

著者 (4件)： ZHAO Jing (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  NAIR Gautham (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  FISHER Brent R. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  BAWENDI Moungi G. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 104  号： 15  ページ： 157403.1-157403.4  発行年： 2010年04月16日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *多層構造 ,  *セレン化カドミウム ,  硫化物 ,  カドミウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  化合物半導体 ,  ナノ結晶 ,  蛍光 ,  間欠性 ,  量子収量 ,  *光ルミネセンス ,  消光 ,  電荷 ,  帯電 ,  時間依存性 ,  *コアシェル構造

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： オフ状態 ,  量子収率 ,  多重励起子 ,  半導体ナノ結晶 ,  蛍光 ,  間欠性 ,  帯電 ,  モデル