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J-GLOBAL ID：201002262159161266   整理番号：10A0970094

中赤外線スペクトル範囲でのInAs_0.926Sb_0.063N_0.011/InAs多重量子井戸の光ルミネセンス

Photoluminescence of InAs_0.926Sb_0.063N_0.011/InAs multi-quantum wells in the mid-infrared spectral range

著者 (7件)： DE LA MARE M (Lancaster Univ., Lancaster, GBR) ,  CARRINGTON P J (Lancaster Univ., Lancaster, GBR) ,  WHEATLEY R (Lancaster Univ., Lancaster, GBR) ,  ZHUANG Q (Lancaster Univ., Lancaster, GBR) ,  BEANLAND R (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  SANCHEZ A M (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  KRIER A (Lancaster Univ., Lancaster, GBR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 43  号： 34  ページ： 345103,1-4  発行年： 2010年09月01日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 少量の窒素を含む希薄窒化物合金は大きなバンドギャップ縮小,興味深い物理学そして多様なデバイス応用の可能性により特別な関心が持たれている。さらに,InAsのような狭いバンドギャップ半導体中への窒素の混入はそれが技術的に重要な中赤外線(2-5μm)スペクトル範囲での放出を促すがゆえにますます関心を引いている。この論文では,筆者らはプラズマ支援分子ビームエピタクシーを使用して成長させたInAs_0.926Sb_0.063N_0.011/InAs多重量子井戸(QW)のエピタクシー成長と光ルミネセンス(PL)を報告する。これらの希薄窒化物QWはいかなる成長後焼なまし無しに250Kの温度までの中赤外線スペクトル範囲で鮮やかなPLを示す。出力依存PL挙動の考察はこれらのQW中のタイプIバンド整列と矛盾せず,N誘起バンド反交叉効果による伝導バンド端の強い低下から生じる。

シソーラス用語： *赤外線 ,  *赤外スペクトル ,  *ヒ化インジウム ,  *窒化物 ,  *多重量子井戸 ,  *エピタクシー ,  *光ルミネセンス ,  *バンドギャップ ,  アンチモン化合物 ,  *窒素 ,  *MBE成長
準シソーラス用語： 中赤外線 ,  エピタクシー成長 ,  分子ビームエピタクシー

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 中赤外線スペクトル ,  InAs ,  多重量子井戸 ,  光ルミネセンス