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J-GLOBAL ID：201002262255482790   整理番号：10A0225135

原子層堆積によるZnOとZnO:Al薄膜形成時におけるドーパント取込,活性化及び膜成長のその場分析

In Situ Analysis of Dopant Incorporation, Activation, and Film Growth during Thin Film ZnO and ZnO:Al Atomic Layer Deposition

著者 (3件)： NA Jeong-Seok (North Carolina State Univ., North Carolina) ,  SCAREL Giovanna (North Carolina State Univ., North Carolina) ,  PARSONS Gregory N. (North Carolina State Univ., North Carolina)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 114  号： 1  ページ： 383-388  発行年： 2010年01月14日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジエチル亜鉛(DEZ;亜鉛源),トリメチルアルミニウム(TMA;アルミニウム源),脱イオン水(酸化剤),アルゴン(キャリヤガス,パージガス)を用い,ZnO薄膜及びアルミニウムをドープしたZnO(ZnO:Al)薄膜を低温原子層堆積(ALD)により作製した。ZnO膜はDEZ/Ar/H₂O/ArのALDサイクル,(ZnO:Al)膜は19ないし39回のDEZ/H₂Oサイクルの間に1回のTMA/H₂Oサイクルを挿入することにより得た。ALDによる薄膜成長ならびにドーパント取込を水晶微量天秤によるその場重量測定とその場電導度測定により調べた。ZnOのALD中におけるその場電導度値は表面吸着化学種によって振動的に変化し,表面反応中に表面電位の変調と電荷移動が起こることと一致する。TMAを用いたドーパント導入は表面電位変調と膜成長の両方を妨げ,観測された結果を理解するためには表面プロトン交換錯体生成を含む反応機構を考慮する必要があった。電子的に活性なドーピングが達成されるのはAl化学種がバルクZnO膜中,数nmまで同化したときであることを示した。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  計測 ,  微量天秤 ,  電気伝導率 ,  *酸化亜鉛 ,  *薄膜成長 ,  *ドーピング ,  *アルミニウム
準シソーラス用語： その場測定 ,  *原子層堆積 ,  水晶微量天秤

分類 (3件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： 原子層堆積 ,  ZnO ,  Al ,  薄膜形成 ,  ドーパント ,  取込 ,  活性化 ,  膜成長