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J-GLOBAL ID:201002262290609620   整理番号:10A1456311

水素飽和はグラフェン中の空孔誘起強磁性秩序化を安定させる

Hydrogen saturation stabilizes vacancy-induced ferromagnetic ordering in graphene
著者 (5件):
資料名:
巻: 12  号: 41  ページ: 13699-13706  発行年: 2010年11月07日 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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高配向性熱分解グラファイトをプロトン照射すると顕著な強磁性信号が得られるがヘリウム照射するとはるかに弱い信号しか得られないことから「むき出し」の空孔と「空孔-2H」との差異が示される。グラフェン中の「空孔-2H」同士の相対位置および配向が強磁性にどのような影響を及ぼすかを密度汎関数理論計算によって検討した。同じ配向(A-Aパターン)にある準格子中の複数の「空孔-2H」がグラフェンの室温強磁性の原因となることを明らかにした。2次元Isingモデルおよびモンテカルロシミュレーションによって水素飽和空孔グラフェンのCurie点の理論的限界は500Kより低温であると予測した。
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分類 (3件):
分類
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原子・分子のクラスタ  ,  その他の無機化合物の磁性  ,  無機化合物一般及び元素 

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