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J-GLOBAL ID：201002262459471828   整理番号：10A0151589

エピタキシャル成長させたAlN層における水素のイオン注入によって誘起される大面積の剥離

Hydrogen implantation-induced large area exfoliation in AlN epitaxial layers

著者 (7件)： DADWAL U. (Indian Inst. Technol. Delhi, New Delhi, IND) ,  SCHOLZ R. (Max Planck Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  KUMAR P. (Inter Univ. Accelerator Centre (IUAC), New Delhi, IND) ,  KANJILAL D. (Inter Univ. Accelerator Centre (IUAC), New Delhi, IND) ,  CHRISTIANSEN S. (Max Planck Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  GOESELE U. (Max Planck Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  SINGH R. (Indian Inst. Technol. Delhi, New Delhi, IND)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 1  ページ： 29-32  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記を調べるために,100keVのイオンエネルギーを持つ水素イオンを,様々な注入温度でAlN薄膜にイオン注入した。液体窒素温度および室温でイオン注入された試料に関してイオン注入後アニーリングを行うと,表面膨れが形成されることが分かった。一方,100および300°Cでイオン注入された試料に関してイオン注入後アニーリングを行うと,イオン注入された大きな面積の剥離が起こることが分かった。断面透過型電子顕微鏡による観察から,イオン注入によってAlN層の内部に水素の満たされたナノサイズのボイドで飾られた損傷バンドが形成されることが分かった。100および300°Cでイオン注入された試料では,これらのナノボイドはc面に沿って優先的に配列し,ナノサイズの亀裂ができることが分かった。イオン注入されたままの状態に形成されたこれらのナノサイズの亀裂は集合し,高温でイオン注入後アニーリングを行うと,最終的には微小亀裂の形成に繋がることが分かった。これらの技術は将来におけるAlN薄膜層の移送に応用できるものと考えられる。

シソーラス用語： MOCVD ,  エピタクシー ,  *窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  イオン注入 ,  水素 ,  *剥離 ,  100-1000keV ,  温度依存性 ,  焼なまし ,  ブリスタリング ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  ナノ構造 ,  空孔欠陥 ,  亀裂
準シソーラス用語： ナノボイド

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル成長 ,  AlN ,  水素 ,  イオン注入 ,  誘起 ,  大面積